首页> 外文OA文献 >Short-channel effects on the static noise margin of 6T SRAM composed of 2D semiconductor MOSFETs

【2h】

Short-channel effects on the static noise margin of 6T SRAM composed of 2D semiconductor MOSFETs

机译：由2D半导体MOSFET组成的6T SRAM静态噪声裕度的短信效应

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Qian Xie; Chen Chen; Mingjun Liu; Shuang Xia; Zheng Wang;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Analysis of static noise margin improvement for low voltage SRAM composed of nano-scale MOSFETs with ideal subthreshold factor and small variability [J] . Tanaka Chika, Saitoh Masumi, Ota Kensuke, Solid-State Electronics . 2015,第jula期

机译：具有理想亚阈值因子和小变异性的纳米级MOSFET组成的低压SRAM的静态噪声裕度改善分析
2. Analysis of Static Noise Margin in 6T Sram Cell At 45 And 32 NM Technology [J] . Garima Upadhyay, Amit Singh Rajput, Nikhil Saxena Journal of active and passive electronic devices . 2019,第2a3期

机译：45和32 nm技术6T SRAM电池静态噪声裕度分析
3. Static Noise Margin Optimized 11nm Shorted-Gate and Independent-Gate Low Power 6T FINFET SRAM Topologies [J] . DustenVernor, Santosh Koppa, Eugene John International Journal of VLSI Design & Communication Systems . 2018,第5期

机译：静态噪声裕量优化的11nm短路栅极和独立栅极低功耗6T FINFET SRAM拓扑
4. Investigation on the static noise margin of 6T SRAM composed of 2D semiconductor MOSFETs [C] . Chen Chen, Qian Xie IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology . 2016

机译：由二维半导体MOSFET组成的6T SRAM的静态噪声容限研究
5. Evidence for line width and carrier screening effects on excitonic valley relaxation in 2D semiconductors [O] . Yuhei Miyauchi, Satoru Konabe, Feijiu Wang, -1

机译：线宽和载流子筛选对2D半导体中激子谷弛豫的影响的证据
6. Estimation of Write Noise Margin for 6t SRAM Cell in CMOS 45nm technology. [O] . Hima Bindu Katikala, G. Ramana Murthy, P. Raja Rajeswari, 2021

机译：CMOS 45NM技术6T SRAM细胞写入噪声裕度估计。
7. Single Event Upset Rate Estimates for a 16-K CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) SRAM (Static Random Access Memory) [R] . Browning, J. S., Koga, R., Kolasinski, W. A. 1986

机译：16 K CmOs（互补金属氧化物半导体）sRam（静态随机存取存储器）的单事件翻转率估计

Short-channel effects on the static noise margin of 6T SRAM composed of 2D semiconductor MOSFETs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅