机译:新型非对称6T SRAM单元,采用65 nm CMOS技术的写辅助技术
机译:具有0.13 $ mu $ m CMOS的扩展的读/写噪声裕度的节能40 Kb SRAM模块
机译:紧凑型低VDDmin 6T SRAM,采用双分裂控制辅助方案,提高了单元稳定性,读取速度和写入余量
机译:采用45nm CMOS技术的NC和PP-SRAM单元与6T SRAM单元的比较研究
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:基于混合泊松噪声样本数值特征的CMOS / CCD图像传感器中信号相关随机噪声的参数估计
机译:45nm CMOS技术中6T,NC,不对称,PP和P3SRAM位拓扑中的功率和稳定性分析