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公开/公告号CN110379448B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽大学;
申请/专利号CN201910599322.5
发明设计人 卢文娟;董兰志;彭春雨;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁;
申请日2019-07-04
分类号G11C11/412(20060101);G11C11/417(20060101);
代理机构11260 北京凯特来知识产权代理有限公司;
代理人郑立明;郑哲
地址 230601 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
入库时间 2022-08-23 12:12:10
机译: 具有增加的写裕度的SRAM电路
机译: 具有主动写辅助功能的SRAM,可提高操作裕度
机译: 写辅助电路,用于提高SRAM单元的写裕度
机译:一种新颖的单端9T FinFET亚阈值SRAM单元,具有高工作裕度和低写入功率,可用于低压操作
机译:具有改善的读/写裕度和可靠的恢复产量的多重共享7T1R非易失性SRAM
机译:具有0.13 $ mu $ m CMOS的扩展的读/写噪声裕度的节能40 Kb SRAM模块
机译:具有改善写裕度的低待机功耗10T SRAM单元设计
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:具有六自由度机器人卧榻和牙套辅助面罩系统的锥束CT图像引导下的超细分颅内立体定向放射治疗的计划目标体积裕度公式:初步研究
机译:45nm CmOs sRam阵列中的大规模读/写裕度测量
机译:具有可变扫描机翼的超音速运输结构的俯仰机动速度裕度研究