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机译:高$ f _ {{rm max}} $高约翰逊品质因数0.2- $ mu {rm m} $硅衬底上具有$ {rm AlN} / {rm SiN} _ {{rm的栅极AlGaN / GaN HEMT x}} $钝化
机译:具有206-GHz的硅衬底上的AlGaN / GaN HEMTs $ F_ {rm MAX} $
机译:
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
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机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明