首页> 外文OA文献 >GaAs/GaAlAs Surface Emitting IR-LED with Bragg Reflector Grown by MOCVD.

【2h】

GaAs/GaAlAs Surface Emitting IR-LED with Bragg Reflector Grown by MOCVD.

机译：GaAs / Gaalas表面发射IR-LED，用MOCVD种植的布拉格反射器。

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Toshihiro Kato; Masumi Hirotani; Hiromoto Susawa; Takashi Saka; Eiichi Shichi;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1992
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. InP-based 1.5 /spl mu/m vertical cavity surface emitting laser with epitaxially grown defect-free GaAs-based distributed Bragg reflectors [J] . Gebretsadik H., Bhattacharya P.K. Electronics Letters . 1998,第13期

机译：基于InP的1.5 / spl mu / m垂直腔表面发射激光器，外延生长无缺陷的基于GaAs的分布式布拉格反射器
2. Circular-grating surface-emitting distributed Bragg reflector lasers on an InGaAs-GaAs structure for 0.48-/spl mu/m applications [J] . Fallahi M., Chatenoud F. IEEE journal of selected topics in quantum electronics . 1995,第2期

机译：InGaAs-GaAs结构上的圆光栅表面发射分布式布拉格反射器激光器，用于0.48- / spl mu / m应用
3. An improved model for computing the reflectivity of a AlAs/GaAs based distributed bragg reflector and vertical cavity surface emitting laser [J] . Ashim Kumar Saha, Saiful Islam Optical and Quantum Electronics . 2009,第11a13期

机译：计算基于AlAs / GaAs的分布式布拉格反射器和垂直腔面发射激光器的反射率的改进模型
4. Design and fabrication of SiO/sub 2//TiO/sub 2/ dielectric Bragg reflectors by RF sputtering: application to near infrared InGaAs/GaAs/AlGaAs vertical cavity surface emitting laser [C] . de la Fargue, M., Missous, High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1999. EDMO. 1999 Symposium on . 1999

机译：射频溅射制备SiO / sub 2 // TiO / sub 2 /布拉格电介质反射镜：应用于近红外InGaAs / GaAs / AlGaAs垂直腔面发射激光器
5. Vertical cavity surface emitting laser based on gallium arsenide/air-gap distributed Bragg reflectors: From concept to working devices. [D] . Mo, Qingwei. 2004

机译：基于砷化镓/气隙分布式布拉格反射器的垂直腔面发射激光器：从概念到工作装置。
6. Effect of Dielectric Distributed Bragg Reflector on Electrical and Optical Properties of GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diodes [O] . Shengjun Zhou, Haohao Xu, Mengling Liu, 2018

机译：分布式布拉格反射器对GaN基倒装芯片发光二极管电学和光学性能的影响
7. Electrical and optical characteristics of AlAsSb/GaAsSb distributed Bragg reflectors for surface emitting lasers [O] . O. Blum, M. J. Hafich, J. F. Klem, 1995

机译：Alassb / Gaassb分布式布拉格反射器的电气和光学特性用于表面发射激光器
8. Vertical cavity surface emitting laser emitting at 1.56 microns with AlGaAsSb/AlAsSb distributed Bragg reflectors [R] . Blum, O. , Klem, J. F. , Lear, K. L. , 1998

机译：垂直腔表面发射激光器，用alGaassb / alassb分布式布拉格反射器发射1.56微米

GaAs/GaAlAs Surface Emitting IR-LED with Bragg Reflector Grown by MOCVD.

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅