MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究

摘要

研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量,达到了良好的器件特性。