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陈晓杰; 陈建新; 陈意桥; 彭鹏; 李爱珍;
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室;
异质结双检晶体管; 砷化镓; GSMBE; 微结构材料;
机译:数字合金In_(0.49)(Ga_(1-z)Al_z)_(0.51)P / GaAs和InGaP / In_(0.49)(Ga_(1-z)Al_z)_(0.51)P多量子的光学性质分子束外延生长的孔
机译:自对准In_(0.49)Ga_(0.51)P / GaAs HBT直流和射频特性与方向相关
机译:生长后退火对四元In_(0.21)Al_(0.21)Ga_(0.58)的35层In_(0.50)Ga_(0.50)As / GaAs量子点红外光电探测器的材料和器件特性的影响的详细研究封顶
机译:复合源MBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P / In_(0.22)Ga_(0.78)As p-HEMT的DLTS和低频噪声行为研究
机译:In(0.49)Ga(0.51)P / GaAs异质结双极晶体管的建模,用于ADC和MMIC电路设计。
机译:氧化石墨烯纳米片掺杂制备有序微结构的水泥复合材料及其强度和耐久性研究
机译:In_(0.75)Ga_(0.25)as对Gaas亚微米环及其应用 相干纳米电子器件
机译:Ga(0.51)In(0.49)p / Gaas HEmT在低温温度下表现出良好的电性能
机译:GaAs衬底和GaAs单晶生长器件的制造方法
机译:GaAs单晶生长的GaAs器件
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