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机译:电子和空穴诱捕在SiO 2 INF>和HFO 2 INF>薄膜的降解和分解的作用
D. Z. Gao; J. Strand; A.-M. El-Sayed; A. L. Shluger; A. Padovani; L. Larcher;
机译:Tb 0.3 inf> Dy 0.7 inf> Fe 2 inf> / Pt / PbZr 0.56 inf> Ti 0.44 inf的磁电耦合在Pt / TiO 2 inf> / SiO 2 inf> / Si衬底上沉积> O 3 inf>薄膜
机译:In x inf> Ga 1 inf> - inf> x inf> N / Al y < / inf> Ga 1 inf> − inf> y inf> N / GaN异质结构,用于增强模式操作
机译:硅衬底对HfO 2 inf> / SiO 2 inf> / Si堆中界面SiO 2 inf>清除的影响
机译:电子和空穴俘获在SiO 2 inf>和HfO 2 inf>薄膜的降解和分解中的作用
机译:重费米和非费米液体行为,超导电性和磁性低电子金属。
机译:趋磁细菌中磁铁矿(Fe(inf3)O(inf4))和钙铁矿(Fe(inf3)S(inf4))的受控生物矿化
机译:HfO 2 inf>中的ZrO 2 inf>对电子制备的248 nm HfO 2 inf> / SiO 2 inf>多层膜反射率的影响束蒸发
机译:混合人INF-Ñß和INF-W的生产方法
机译:弦乐器用钣金,金属或金属合金谐振底座的生产程序,以及使用框架中生产的谐振紧固件的步骤
机译:用于可生物降解塑料薄膜的印刷INF
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