InI和InF分子电子态从头算法研究

摘要

单卤化铟分子对开发半导体材料、光电材料以及激光介质等新型材料起着重要的作用.然而由于它们电子态结构的复杂性以及实验条件的制约,目前对单卤化铟分子的实验研究还存在着许多问题,尤其对于较高的激发态缺乏全面详尽的了解.在理论上,大多数的研究集中在基态上,特别是InI和InF两个分子,目前还没有对它们激发态的理论研究的报道.该论文使用量子化学从头计算方法分别对InI和InF分子的电子态进行研究.主要工作有:1.用单双激发耦合簇线性响应理论(CCSD-LRT)结合有效核势(RECP)对InI分子∧-S电子态进行计算,得到了包括Rydberg态在内的激发态,获得了与实验值符合较好的光谱常数.对实验上难以分辨的位于31500cm<'-1>附近的连续谱带做了归属.2.使用内部收缩的多参考单双激发组态相关加Davidson型修正(ic-MR-CISD+Q)结合全电子基组对InF分子价电子态进行计算,并通过自旋轨道耦合(SOC)计算得到了轨道分裂后的Ω价电子态,获得了与实验数据比较接近的光谱常数.

目录

文摘

英文文摘

第一章 绪论

1.1 单卤化铟系列分子的研究意义

1.2 单卤化铟系列关分子研究现状

1.2.1 InCl分子

1.2.2 InBr分子

1.2.3 InI分子

1.2.4 InF分子

1.3 本论文的主要内容

参考文献

第二章 组态相关和耦合簇线性响应理论

2.1 从头算法理论概述

2.2 组态相关理论

2.2.1 多参考及单参考组态相关模型

2.2.2 尺寸外延性误差

2.3 耦合簇线性响应理论

2.3.1 理论模型

2.3.2 尺寸外延性

2.4 激发态的高精度计算

2.4.1 基组的影响

2.4.2 相对论效应的影响

参考文献

第三章 InI分子∧-S电子态的CCSD-LRT方法研究

3.1 引言

3.2 计算方法

3.3 结果与分析

3.4 结论

参考文献

第四章 InF分子价电子态的ic-MR-CISD+Q方法研究

4.1 引言

4.2 计算方法

4.3 结果与分析

4.4 结论

参考文献

第五章 总结

5.1 己完成的研究工作及其不足

5.2 影响分子激发态计算精度的主要因素

致谢