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机译:基于多晶 - 硅-MOSFET的电容DRAM,具有晶粒边界及其性能
Sang Ho Lee; Won Douk Jang; Young Jun Yoon; Jae Hwa Seo; Hye Jin Mun; Min Su Cho; Jaewon Jang; Jin-Hyuk Bae; In Man Kang;
机译:沟槽式多晶硅薄膜晶体管无电容器1T-DRAM的性能
机译:统一RAM中高性能无电容1T-DRAM模式的寄生BJT读取方法
机译:基于多晶硅晶界基于无连接FinFET的电容器动态随机存取存储器仿真
机译:具有增强的保留性能的新型无电容器DRAM单元的设计
机译:缺陷和晶界工程可增强钙钛矿杂化太阳能电池的性能和寿命
机译:横向晶界降低Poly-Si 1T-DRAM的性能变化分析
机译:实时DRAM消除了跨越页面边界的性能损失
机译:通过并入具有较大晶界的金属结构来改善微结构部件金属化系统的性能
机译:结晶非晶硅以改善元素性能,并通过减少晶粒边界突起来确保过程或设备的利润
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