机译:垂直门Si / SiGe基于双HBT的无电容器1T DRAM单元,可在低锁存电压下延长保留时间
机译:新型无电容1T DRAM单元,可改善数据保留时间
机译:新型无电容DRAM单元,可实现低电压操作和较长的数据保留时间
机译:具有增强保留性能的新型电容器DRAM细胞的设计
机译:薄型SOI无电容器DRAM单元设计优化和扩展。
机译:具有保留功能的DRAM自动刷新方案可提高能源效率和性能
机译:基于多晶 - 硅-MOSFET的电容DRAM,具有晶粒边界及其性能
机译:单事件镜像和读出放大器设计,可增强DRam的sE容差