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机译:横向晶界降低Poly-Si 1T-DRAM的性能变化分析
Songyi Yoo; Wookyung Sun; Hyungsoon Shin;
机译:热退火条件下多晶硅晶粒结构的变化及其对TiN / Al_2O_3 / Si_3N_4 / SiO_2 / poly-Si电容器性能的影响
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机译:结晶非晶硅以改善元素性能,并通过减少晶粒边界突起来确保过程或设备的利润
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