ETCHING; SILICON; HYDROGEN; BROMINE; PLASMAS (PHYSICS); HIGH ASPECT RATIO; ASPECT RATIO; SPUTTERING; SIMULATION; SEMICONDUCTORS (MATERIALS); SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS;
机译:高宽高比特征下HBr等离子体中硅腐蚀的模拟和实验
机译:表面反应层在通过高纵横比刻蚀多晶硅和SiO2叠层形成的氮添加的HBr /碳氟化合物基等离子体中的作用
机译:三元HBr + CI_2 + O_2气体系统中等离子体化学和硅腐蚀动力学的控制:HBr / O_2和CI_2 / O_2混合比的影响
机译:Polysilicon的CL_2 + HBR蚀刻中的等离子体表面动力学和特征简介演进
机译:使用六氟化硫/氧等离子体在硅中蚀刻高深宽比结构。
机译:基于HBr / O的重掺杂多晶硅反应离子蚀刻的研究
机译:高纵横比多层蚀刻中N2 / HBR等离子体中溴化铵的沉积谱