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Symposium on Plasma Processing
Symposium on Plasma Processing
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1.
Thickness scaling of gate dielectric on plasma charging damage in MOS devices
机译:
栅极电介质厚度缩放在MOS装置上等离子体充电损伤
作者:
Kuei-Shu Chang-Liao
;
Pei-Jer Tzeng
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
2.
Etching of high K gate dielectrics and gate metal candidates
机译:
高k栅极电介质和栅极金属候选的蚀刻
作者:
S. K. Han
;
I. Kim
;
H. Zhong
;
G. P. Heuss
;
J. H. Lee
;
D. Wicaksana
;
J. P. Maria
;
V. Misra
;
C. M. Osburn
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
3.
Effect of oxygen and nitrogen additions on silicon nitride reactive ion etching in fluorine containing plasmas
机译:
氧气和氮气添加对含氟硅氮化硅反应离子蚀刻的影响
作者:
C. Reyes-Betanzo
;
S. A. Moshkalyov
;
A. C. S. Ramos
;
M. A. Cotta
;
J. W. Swart
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
4.
Quantitative analysis and comparison of endpoint detection based on multiple wavelength analysis part I: multi-wavelength method
机译:
基于多波长分析部分I的终点检测的定量分析与比较I:多波长法
作者:
Brian E. Goodlin
;
Duane S. Boning
;
Herbert H. Sawin
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
5.
Etching vs. Deposition: The Effect on Profiles and Etching Yield Curves for Oxide Etching
机译:
蚀刻Vs.沉积:氧化物蚀刻曲线的效果和蚀刻产量曲线
作者:
Ohseung Kwon
;
Weiding Jin
;
Herbert H. Sawin
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
6.
A Novel Approach to Reduce Via Corner Faceting in the Via-First, No Middle Stop Layer Dual Damascene Trench Etch
机译:
一种新颖的通过转角在通孔转角减少的方法,没有中间停止层双镶嵌沟槽蚀刻
作者:
Yun-Sang Kim
;
Kenny L Doan
;
Claes Bjorkman
;
Alex Paterson
;
Zhifeng Sui
;
Hongching Shan
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
7.
Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using an ECR Plasma
机译:
使用ECR等离子体的原子级氮化Si(100)上的SI外延生长
作者:
Masaki Mori
;
Takuya Seino
;
Daisuke Muto
;
Masao Sakuraba
;
Junichi Murota
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
8.
Plasma-surface kinetics and feature profile evolution in Cl_2 + HBr etching of polysilicon
机译:
Polysilicon的CL_2 + HBR蚀刻中的等离子体表面动力学和特征简介演进
作者:
W. Jin
;
S. A. Vitale
;
H. H. Sawin
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
9.
Copper Fine Patterns Etched with HBr Plasma Based Processes
机译:
用基于HBR等离子体的过程蚀刻铜细纹
作者:
Sangheon Lee
;
Yue Kuo
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
10.
Simultaneous fault detection and classification for semiconductor manufacturing tools
机译:
半导体制造工具的同时故障检测与分类
作者:
Brian E. Goodlin
;
Duane S. Boning
;
Herbert H. Sawin
;
Barry M. Wise
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
11.
Etching High Aspect Ratio Silicon Trenches
机译:
蚀刻高纵横比硅沟槽
作者:
Siddhartha Panda
;
Rajiv Ranade
;
G. Swami Mathad
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
12.
Differential surface charging of the dielectric during plasma etching and surface charge leakage kinetic
机译:
等离子体蚀刻和表面电荷泄漏动力学期间电介质的差分表面充电
作者:
M. K. Abatchev
;
B. J. Howard
;
D. S. Becker
;
R. L. Stocks
;
J. Chapman
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
13.
Process and material properties of PECVD boron-doped amorphous silicon films
机译:
PECVD硼掺杂非晶硅膜的工艺和材料性质
作者:
Helinda Nominanda
;
Yue Kuo
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
14.
Plasma etched micromachined silicon stampers for plastic biotechnology applications
机译:
塑料生物技术应用的等离子体蚀刻的微机械硅压液
作者:
D. Weston
;
W. J. Dauksher
;
D. Rhine
;
T. Smekal
;
S. Rauf
;
P. J. Stout
;
P. L. G. Ventzek
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
15.
Intellectual property creation from semiconductor process and equipment development
机译:
从半导体过程和设备开发中创建知识产权
作者:
K. Mautz
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
16.
Inverse microloading effect in reactive ion etching of silicon
机译:
硅反应离子蚀刻中的逆微载效应
作者:
Soren Jensen
;
Ole Hansen
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
17.
Gate oxide integrity and microloading characterization of 300mm process tools
机译:
栅极氧化物完整性和300mm工艺工具的微载表征
作者:
K. Mautz
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
18.
Properties of Boron Doped Amorphous Silicon Films Obtained with a Low Frequency Plasma
机译:
用低频等离子体获得硼掺杂非晶硅膜的性质
作者:
A. Heredia-J
;
A. Torres-J
;
. Jaramillo-N
;
F. J. De la Hidalga-W
;
A. Munguia-C
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
19.
Investigations of 300mm wafer tool set progress and performance
机译:
调查300mm晶圆工具集进度和性能
作者:
K. Mautz
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
20.
Patterning 180 nm copper-oxide dual damascen baseline with 193 nm resists
机译:
用193nm抗蚀剂图案化180nm铜氧化铜双米马力文基线
作者:
Vivek Bakshi
;
Gregory Smith
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
21.
High-productivity 300mm HDP-CVD for next-generation gap fill processes
机译:
高生产率300mm HDP-CVD用于下一代间隙填充过程
作者:
Bruno Geoffrion
;
Naren Dubey
;
Paddy Krishnaraj
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
22.
Plasma hydrogenation of a buried trap layer in silicon: formation of a platelet layer
机译:
硅胶中掩埋捕集层的等离子体氢化:形成血小板层
作者:
A. Y. Usenko
;
W. N. Carr
;
Bo Chen
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
23.
Integrated modeling investigation of plasma dielectric etching processes
机译:
血浆介质蚀刻工艺的集成模拟研究
作者:
Da Zhang
;
Shahid Rauf
;
Terry G. Sparks
;
Peter L. G. Ventzek
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
24.
Optimizing pulse protocols in plasma-enhanced atomic layer deposition
机译:
优化等离子体增强原子层沉积中的脉冲协议
作者:
Vinay Prasda
;
Matthias K. Gobbert
;
Timothy S. Cale
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
25.
Surface treatment of SiC using NF_3/O_2 plasma
机译:
使用NF_3 / O_2等离子体的SiC的表面处理
作者:
T. Kai
;
W. Shimizu
;
A. Hibi
;
T. Iwase
;
T. Abe
;
M. Inaba
;
Z. Ogumi
;
T. Tojo
;
A. Tasaka
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
26.
Effects of showerhead face chemistry on capacitively coupled plasma discharges
机译:
喷头面部化学对电容耦合等离子体放电的影响
作者:
Balaji Devulapalli
;
Gabriel I. Font
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
27.
Quantitative analysis and comparison of endpoint detection based on multiple wavelength analysis part II: noise analysis of multi-wavelength OES
机译:
基于多波长分析的端点检测的定量分析与比较第二部分:多波长OES的噪声分析
作者:
Brian E. Goodlin
;
Duane S. Boning
;
Herbert H. Sawin
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
28.
Radical Control in a Hole to Break an Etch-Stop Barrier in Highly Selective HAC Etching
机译:
在高度选择性HAC蚀刻中打破蚀刻屏障的孔中的激进控制
作者:
N. Negishi
;
K. Yokogawa
;
T. Yoshida
;
M. Izawa
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
29.
Measurement of device charging damage in a dielectric etch 300mm chamber with a bias voltage diagnostic cathode
机译:
用偏置电压诊断阴极测量电介质蚀刻300mm室中的设备充电损坏
作者:
Michael C. Kutney
;
Shawming Ma
;
Keiji Horioka
;
Roger Lindley
;
Semyon Kats
;
Tom Kropewnicki
;
Kenny Doan
;
Dee Lane
;
Hongching Shan
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
30.
High-density plasma deposited silicon nitride films for coating InGaAlAs high-power lasers
机译:
用于涂层InGaalas大功率激光器的高密度等离子体沉积氮化硅膜
作者:
R. E. Sah
;
F. Rinner
;
R. Kiefer
;
M. Mikulla
;
G. Weimann
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2002年
31.
Bevel Edge Treatment for Reduction of Defect Density by Plasma Etch Processes Applied in Silicon Trench Technologies
机译:
通过在硅沟槽技术中施加的等离子体蚀刻工艺来降低缺损密度的斜面边缘处理
作者:
G. Ehrentraut
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
32.
Bevel Edge Treatment for Reduction of Defect Density by Plasma Etch Processes Applied in Silicon Trench Technologies
机译:
通过在硅沟槽技术中施加的等离子体蚀刻工艺来降低缺损密度的斜面边缘处理
作者:
G. Ehrentraut
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
33.
General Feature Profile Simulator FPS-3D
机译:
一般特征简介模拟器FPS-3D
作者:
Paul Moroz
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
34.
General Feature Profile Simulator FPS-3D
机译:
一般特征简介模拟器FPS-3D
作者:
Paul Moroz
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
35.
Characterization of Ultrathin PEALD-Grown RuCo Films for Diffusion Barrier and Copper Direct-Plate Applications
机译:
用于扩散屏障和铜直板应用的超薄PEALD型Ruco膜的表征
作者:
D. Greenslit
;
E. Eisenbraun
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
36.
Characterization of Ultrathin PEALD-Grown RuCo Films for Diffusion Barrier and Copper Direct-Plate Applications
机译:
用于扩散屏障和铜直板应用的超薄PEALD型Ruco膜的表征
作者:
D. Greenslit
;
E. Eisenbraun
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
37.
Isolation Trench Etch Process Using Pulsed RF Bias Power in HBr/CF_4/O_2 Plasma
机译:
使用脉冲RF偏置功率在HBr / CF_4 / O_2等离子体中隔离沟槽蚀刻工艺
作者:
I. Park
;
Y. Kang
;
S. Jeong
;
S. Nam
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
38.
Isolation Trench Etch Process Using Pulsed RF Bias Power in HBr/CF_4/O_2 Plasma
机译:
使用脉冲RF偏置功率在HBr / CF_4 / O_2等离子体中隔离沟槽蚀刻工艺
作者:
I. Park
;
Y. Kang
;
S. Jeong
;
S. Nam
会议名称:
《Symposium on Plasma Processing》
|
2011年
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