Semiconductors; Deposition; Sputtering; Magnetrons; Plasmas(Physics); Thin films; Epitaxial growth; Low voltage; Electron mobility; Indium arsenides;
机译:用于原子层沉积的ii-v化合物半导体的液相和气相表面制备的比较
机译:使用电化学沉积法制备II-VI和III-V半导体的3D大孔结构
机译:原子表面结构在III-V型化合物半导体的金属有机化学气相沉积中的作用
机译:离子辅助反应磁控溅射作为化合物半导体优质薄膜的沉积方法
机译:通过离子束溅射沉积的介电薄膜,用于基于III-V的红外光电成像。
机译:基于III-V族半导体的p型掺杂超晶格的垂直传输研究
机译:用于CmOs缩放的原子层沉积:si,Ge和III-V半导体上的高k栅介质