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【24h】

InAlAsSb/InGaSb Double Heterojunction Bipolar Transistor.

机译:Inalassb / InGasb双异质结双极晶体管。

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摘要

An npn double heterojunction bipolar transistor has been made using In0.27Ga0.73Sb for the base and two different InxAl1-xAsySb1-y alloys for the emitter and collector. It has a common emitter current gain of 25. The emitter-base voltages required for a g ...

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