首页> 美国政府科技报告 >Relating Silicon Carbide Avalanche Breakdown Diode Design to Pulsed-Energy Capability.
【24h】

Relating Silicon Carbide Avalanche Breakdown Diode Design to Pulsed-Energy Capability.

机译:将碳化硅雪崩击穿二极管设计与脉冲​​能量相关联。

获取原文

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号