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基于多物理场计算的二极管雪崩击穿效应分析

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为仿真反向电压作用下半导体器件的碰撞电离及雪崩击穿效应并解释其物理机理,通过多物理场计算中半导体材料雪崩效应的碰撞电离率表征,仿真二极管的雪崩效应.应用多物理场计算仿真型号为HSMS-282C的肖特基二极管在反向电压下碰撞电离现象.实验测量结果表明,该算法能准确仿真该二极管的雪崩击穿效应,并对效应现象给出物理机理解释.

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来源
《第一届复杂电磁环境技术及应用学术会议及第二届中物院复杂电磁环境重点实验室学术会议》|2015年|212-215|共4页
会议地点成都
作者
Xu Ke; 徐可; Zeng Hongzheng; 曾洪正; Chen Xing; 陈星;
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作者单位

中国兵工学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN31:TN302;
关键词
二极管; 雪崩击穿效应; 多物理场计算; 碰撞电离率;
入库时间 2022-08-17 10:20:19

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