首页> 美国政府科技报告 >Intrinsic Surface States and Fermi-Level Pinning at Metal-Semiconductor Interfaces.

【24h】

Intrinsic Surface States and Fermi-Level Pinning at Metal-Semiconductor Interfaces.

机译：金属 - 半导体界面的固有表面态和费米能级钉扎。

获取原文

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

No abstract available.

著录项

作者
Mele, E. J.; Joannopoulos, J. D.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1978
页码 1-5
总页数 5
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Electronic states; Surface properties; Semiconductors; Interfaces; Reprints; Surface states; Fermi levels; Metals;

机译：电子态;表面性质;半导体;界面;重印;表面态;费米能级;金属;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Fermi-level pinning and intrinsic surface states of Al_(1-x)In_xN(1010) surfaces [J] . V. Portz, M. Schnedler, L. Lymperakis, Applied Physics Letters . 2017,第2期

机译：Al_（1-x）In_xN（1010）表面的费米能级钉扎和本征表面状态
2. Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Fermi-level pinning position toward the conduction band edge [J] . Keisuke Yamamoto, Masatoshi Mitsuhara, Keisuke Hiidome, Applied Physics Letters . 2014,第13期

机译：TiN / Ge接触处的中间层在缓解固有的费米能级向导带边缘的钉扎位置中的作用
3. Decoupling the Fermi-level pinning effect and intrinsic limitations on p-type effective work function metal electrodes [J] . Huang-Chun Wen, Prashant Majhi, Kisik Choi, Microelectronic Engineering . 2008,第1期

机译：解耦费米能级钉扎效应和p型有效功函数金属电极的固有局限性
4. Potential Influence of Surface Atomic Disorder on Fermi-level Pinning at Metal/SiGe Interface [C] . X. Luo, T. Nishimura, T. Yajima, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference . 2018

机译：表面原子无序对金属/ SiGe界面费米能级钉扎的潜在影响
5. Structured surfaces for damping enhancements at mechanical interfaces. [D] . Larsen, Eric Richard. 2005

机译：结构化表面可增强机械界面的阻尼。
6. Riemannian Metric Optimization on Surfaces (RMOS) for Intrinsic Brain Mapping in the Laplace-Beltrami Embedding Space [O] . Jin Kyu Gahm, Yonggang Shi -1

机译：Laplace-Beltrami嵌入空间中用于固有大脑映射的表面黎曼度量优化（RMOS）
7. A critical assessment of methods for the intrinsic analysis of liquid interfaces. 1. surface site distributions [O] . Jorge, Miguel, Jedlovszky, Pal, Cordeiro, M. Natalia D. S. 2010

机译：对液体界面固有分析方法的关键评估。 1.地面部位分布
8. Spectroscopic Studies of the Electronic Structure of Metal-Semiconductor and Vacuum-Semiconductor Interfaces. [R] . Himpsel, F. J. 1982

机译：金属半导体和真空半导体界面电子结构的光谱研究。

Intrinsic Surface States and Fermi-Level Pinning at Metal-Semiconductor Interfaces.

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅