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邵丙铣;
无;
机译:导带内的界面陷阱导致的费米能级钉扎对$ hbox {In} _ {x} hbox {Ga} _ {1-x} hbox {As} $金属-氧化物-半导体场中反型层迁移率的影响效应晶体管
机译:通过金属-有机界面处的费米能级固定来进行有机半导体器件的接触工程
机译:费米能级效率方法及其在高界面陷阱密度氧化物-半导体界面上的应用
机译:用于低电阻欧姆接触的金属有机半导体界面处的费米能级钉扎
机译:金属-半导体触点的电位移合成与界面表征。
机译:Van der Waals金属-半导体结:弱费米能级钉扎可有效调整肖特基势垒
机译:半导体-金属界面处的费米能级位置
机译:在没有费米能级钉扎的共价半导体上形成肖特基势垒:金属-mos2(0001)界面
机译:氢传感器利用氢化金属费米能级的位移
机译:使用阳离子成分氧化物防止费米能级钉扎的化合物半导体界面控制
机译:(110)表面取向,用于减少高K电介质和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级钉扎
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