Charge carriers; Diffusion; Photodiodes; Cadmium tellurides; Mercury compounds; Preparation; Materials; Crystal growth; Measurement; Life expectancy; Annealing; Charge density; Holes(Electron deficiencies); Semiconductor diodes; Theory; Mercury alloys; Epitaxial growth; Radiative transfer; Fabrication; Cadmium mercury tellurides; Minority carriers(Electronics);
机译:p型GaAs和GaInAs中的少数载流子扩散长度,寿命和迁移率
机译:p型GaAs和GaInas中的少数载波扩散长度,寿命和移动性
机译:电子束感应电流测定碲镉汞中少数载流子的扩散长度和表面复合速度
机译:平行电阻法测定碲化汞镉光伏探测器中少数载流子的寿命
机译:氮化镓,氮化铟和碲化汞镉的霍尔效应和光电导寿命研究。
机译:用于非接触氧化过程表征和炉分析的少数载流子寿命测量
机译:关于少数载流子扩散长度/寿命测量的第一次工作组会议:循环寿命/扩散长度测试的结果