一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法

摘要

本发明涉及半导体材料测试技术领域，具体涉及一种半导体硅材料中少数载流子寿命的测试方法，在待测试硅材料表面提供一个短波长的稳定光照,使之在硅材料中形成一个有利于阻滞在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面扩散的少数载流子分布。测试时使用一束测试光脉冲，在硅材料的体内激发非平衡少数载流子，当测试光脉冲结束后，记录硅材料附加电导率的衰减，以此反映硅材料体内非平衡少数载流子的衰减，经计算得出硅材料中的非平衡少数载流子的复合寿命值τ。该方法的优点：有利于阻止在硅材料体内产生的非平衡少子向硅材料表面的扩散，减少硅材料表面复合对测试结果的影响，待测的硅材料事先无需处理，测试速度快，并有满意的测试准确度。