脉冲光信号对半导体中少数载流子寿命测试的影响

摘要

微波反射光电导衰减法是测量少子寿命的标准方法之一,具有非接触、无损伤的特点.在测试过程中,通常采用脉冲光在待测样品中产生过剩电子-空穴对,通过观察脉冲光结束后电子-空穴对的复合衰减曲线来得到样品的少子寿命.为考虑测试过程对脉冲光源的要求,本文从理论上分析高斯脉冲光源与理想δ函数光源的差别,发现只有脉宽2σ≤2ns的高斯脉冲光源才可等效于δ函数光源.否则光电导衰减曲线间的差异虽然不影响少子有效寿命的测量,但会影响从衰减曲线中提取的少子体寿命和表面复合速度的结果.若样品受表面状况影响较小时,则可对光源的要求适当放宽.