Crystal structure; Solid state electronics; Heterojunctions; Circuits; Crystals; Doping; Electrons; Epitaxial growth; Gallium arsenides; Molecular beams; Orientation(Direction); Quantum theory; Reprints; Silicon; Transistors; Aluminum gallium arsenide; Holes(Electron;
机译:砷在分子束外延生长的GaAs(nll)A(n = 1-4)衬底中的表面形态和硅掺杂的蒸汽压依赖性
机译:在硅基板上的分子束外延生长AlGaAs和AlgaAs / GaAs / AlgaAs纳米线
机译:通过分子束外延对硅重掺杂GaAs和AlGaAs
机译:从GaAs / Algaas调制掺杂结构的Terhertz辐射的磁场取向依赖性具有不同的Algaas间隔层厚度
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:分子束外延生长的亚毫安级阈值电流伪态InGaAs / AlGaAs埋藏异质结构量子阱激光器
机译:硅掺杂在分子束外延alGaas / Gaas异质结构中的晶体取向依赖性。