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Double 15-nm-Wide Metal Gates 10 nm Apart and 70 nm Thick on GaAs

机译：在Gaas上，双15nm宽金属栅极分开10nm，厚度为70nm

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作者
Chou, S. Y.; Fischer, P. B.;
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年度 1990
页码
总页数 5
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Gallium arsenides; Semiconductor devices; Gates(Circuits); Polymethyl methacrylate; Substrates; Fabrication; Reprints;

机译：砷化镓;半导体器件;栅极（电路）;聚甲基丙烯酸甲酯;基板;制造;重印;

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