Molecular beam epitaxy; Semiconductors; Ternary compounds; Atoms; Band gaps; Copper; Crystal structure; Electrical properties; Indium antimonides; Indium arsenides; Infrared radiation; Long wavelengths; Optical properties; Photodetectors; Platinum; Quantum dots; Quantum efficiency; Quantum wells; Rotation; Superlattices; Zinc; Ternary semiconductor alloys; Spontaneous ordering; Mbe(Molecular beam epitaxy); Rotation-induced compositional ordering; Inassb(Indium arsenide antimonides); Zincblende cubic ternary alloys; Qdip(Quantum dot infrared photodetectors); Qe(Quantum efficiencies); Qwip(Quantum well infrared photodetectors);
机译:APS -2017 APS大西洋中部年会-活动-分子束外延生长的全彩无磷InGaN / AlGaN纳米线发光二极管。
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机译:分子束外延生长基于基于INP的假谐振谐振隧道二极管电性能的异常生长温度依赖性。
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机译:分子束外延在低温下生长的n型GaAsBi合金的深层缺陷及其对光学性能的影响
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