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机译:具有改进的沟道耗尽区的新型4H-SiC MESFET,适用于高功率和高频应用
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机译:具有大功率和高频应用的具有蛇形沟道的新型4H-SiC MESFET
机译:高性能SOI MESFET,具有改良的耗尽区,使用三重凹入式栅极实现RF应用
机译:用于低功耗VLSI应用的完全耗尽的单门SOI MESFET中的短信效应的新分析描述
机译:优化低压差稳压器的部分耗尽和完全耗尽的MESFET的设计。
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:适用于高功率和微波频率应用的GaN MESFET的完整分析模型