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机译:高性能SOI MESFET,具有改良的耗尽区,使用三重凹入式栅极实现RF应用
Recessed gate; Silicon on insulator; MESFET; Depletion region; RF applications;
机译:高性能SOI MESFET,具有改良的耗尽区,使用三重凹入式栅极实现RF应用
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