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陈刚;
南京电子器件研究所;
4H碳化硅; 金属半导体场效应管; 微波; 宽禁带半导体;
机译:具有大功率和高频应用的具有蛇形沟道的新型4H-SiC MESFET
机译:具有部分重掺杂沟道的改进的双凹P缓冲4H-SiC MESFET
机译:具有凹入式栅极和沟道的新型4H-SiC MESFET
机译:具有不同Delta掺杂浓度的4H-SiC双Delta掺杂沟道MESFET的DC和RF性能的数值研究
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:具有部分低掺杂沟道的改进型4H-SiC MESFET
机译:4H-SIC MESFET和陷阱进行深度瞬态光谱研究
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:具有变化厚度的沟道的金属半导体场效应晶体管(MESFETS)和相关方法
机译:MESFET在沟道层中具有终端层
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