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机译:通过脉冲激光烧蚀和后退火-在伴随a和b轴平面旋转的情况下使薄膜重结晶,在MgO衬底上制备高质量的Bi2Sr2CaCu2O8 +δ薄膜
Pulsed laser ablation; High-t-c thin film; Bi2sr2cacu2o8+delta; Surface morphology; In-plane orientation; Ca-cu-o; Growth; Superconductivity;
机译:通过脉冲激光烧蚀和后退火-在伴随a和b轴平面旋转的情况下使薄膜重结晶,在MgO衬底上制备高质量的Bi2Sr2CaCu2O8 +δ薄膜
机译:后退火时间对通过脉冲激光沉积(PLD)在MgO(100)单晶衬底上生产的Bi(2)Sr(2)CalCu(2)O(8-偏导数)薄膜的生长机理的影响
机译:后退火温度对通过脉冲激光沉积(PLD)在MgO(100)单晶衬底上产生的Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+?)薄膜的生长机制的影响
机译:通过脉冲激光消融和退火后制备高质量的Bi_2SR_2CACU_2O_(8 +δ)薄膜
机译:飞秒脉冲激光烧蚀和硅衬底上用于MEMS制造的3C碳化硅膜的图案化。
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:后退火时间对通过脉冲激光沉积(PLD)在MgO(100)单晶衬底上生产的Bi2Sr2Ca1Cu2O8 +薄膜的生长机理的影响
机译:通过脉冲激光烧蚀在中等温度下原位生长高质量外延YBa(sub 2)Cu(sub 3)O(sub 7-x)薄膜。