机译:后退火时间对通过脉冲激光沉积(PLD)在MgO(100)单晶衬底上生产的Bi2Sr2Ca1Cu2O8 +薄膜的生长机理的影响
机译:后退火时间对通过脉冲激光沉积(PLD)在MgO(100)单晶衬底上生产的Bi(2)Sr(2)CalCu(2)O(8-偏导数)薄膜的生长机理的影响
机译:后退火温度对通过脉冲激光沉积(PLD)在MgO(100)单晶衬底上产生的Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+?)薄膜的生长机制的影响
机译:通过脉冲激光沉积在MgO(100)衬底上的单畴LaB_6(100)外延薄膜的缓冲层增强生长
机译:脉冲激光沉积在各种单晶衬底上生长的无铅铁电Na0.5Bi0.5TiO3薄膜的外延生长和性能
机译:脉冲激光沉积生产的薄膜半导体二硅化铁的生长和性能。
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:后退火温度对通过脉冲激光沉积(PLD)在MgO(1 0 0)单晶衬底上产生的Bi2Sr2Ca1Cu2O8 +∂薄膜生长机制的影响