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机译:包含复合InAlAs / InGaAs / InAs / InGaAs / InAlAs量子阱的HEMT纳米异质结构的光致发光的特定特征
机译:包含复合InAlAs / InGaAs / InAs / InGaAs / InAlAs量子阱的HEMT纳米异质结构的光致发光的特定特征
机译:量子阱中具有InAs插入物的InP衬底上InAlAs / InGaAs / InAlAs HEMT异质结构的结构和电性能
机译:InAs含量高的n-InGaAs / InAlAs变质纳米异质结构中的量子霍尔效应
机译:在InGaAs通道中插入InAs层的InAlAs / InGaAs HEMT的电子传输特性
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”