机译:中子辐照对硅辐射探测器电压终止结构特性的影响
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机译:中子辐照对基于6H-SiC pn结构的封装二极管电流-电压特性的影响
机译:中子辐照前后具有n / sup + // n / p / sup + /和双面多重保护环结构的硅像素探测器的表征
机译:快速中子照射下耐藻酸异质结构的瓦特和电压特性的劣化
机译:中子辐照导致碳化硅探测器位移损伤的建模。
机译:D-T聚变中子检测中碳化硅肖特基二极管检测器的抗辐射性
机译:辐照度高达$ 10 ^ {16} n / cm ^ {2} $时中子辐照硅探测器的电流-电压和阻抗特性