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中国核学会中国电子学会;
Z-效应; 伏安特性; p+-p-n-.i-n+结构;
机译:GaN基p-i-n紫外探测器的I-V热特性分析
机译:Al植入的4H-SiC P-IN二极管的前进I-V特性分析,具有型缺陷诱导缺陷态引起的重组和捕获效应建模
机译:基于光整流效应的大功率激光辐射快速响应薄膜光电探测器
机译:GaAs / Algaas量子孔红外光电探测器的I-V I-V特性和响应性的不对称性
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于II型超晶格的带状结构设计的高增益LWIR光电探测器
机译:多通道超导涡流晶体管I-V特性分析
机译:高强度10.6microns激光辐射对冷Z-夹点等离子体的临界层穿透。
机译:I-V I-V I-V I-V特征测量装置和太阳能电池的I-V特征测量方法以及记录有I-V特征测量装置的程序的记录介质
机译:通过光辐射减少闪烁探测器的漂移效应
机译:通过光辐射减少闪烁体探测器的漂移效应
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