机译:硅-GaN生长的新衬底
GaN; MOCVD; epitaxial growth; devices;
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机译:通过HVPE方法在NGO衬底上外延生长GaN-开发用于制造激光二极管的GaN衬底
机译:HVPE方法 - 通过HVPE法研磨GaN底板的外延生长 - 用于制造激光二极管的GaN基材
机译:GaN上GaN的生长锂粘液基底,用于开发GaN薄柔顺底物
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:GaN体衬底上的半极性(11(2)-bar2)GaN和InGaN / GaN量子阱的外延生长和光学性质
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管