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Influence of BF_2-Implantation on the Roughness or Cobalt Silicide/Silicon Interfaces

机译:BF_2注入对粗糙度或硅化钴/硅界面的影响

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摘要

Thin CoSi_2 layers were prepared with different methods and implanted with BF_2. The root mean square roughness and the maximum roughness of the silicide/silicon interface are measured before and after implanting through the layer stack by an atomic force microscope after etching of the CoSi_2. The results show the relevance of the implantation on the silicide/silicon interface.
机译:用不同的方法制备CoSi_2薄层并注入BF_2。在蚀刻CoSi_2之后,通过原子力显微镜在通过层堆叠注入之前和之后,测量硅化物/硅界面的均方根粗糙度和最大粗糙度。结果表明在硅化物/硅界面上注入的相关性。

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