BF_2^+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析

摘要

把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF_2^+的分子效应。我们在1.6—5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量也(3×10^(13)-5×10^(15)ion/cm^2),147keV BF_2^+分子离子77K注入硅以及相应的B^+、F^+注入硅样品的椭偏谱。由实验测得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论(EMA)和计算软件,可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现,低温BF^2^+注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成,与B^+、F^+注入损伤相比,BF_2^+注入存在显著的分子效应。