硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。其中所述覆盖层是钛/氮原子百分比比率大于1的氮化钛层。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的硅彼此反应，从而形成一硅化钴膜。当在高温下形成硅化钴膜的时候，也形成一扩散抑制界面膜。