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Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology
Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology
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1.
Foreword
机译:
前言
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
2.
Sponsorship
机译:
赞助商
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
3.
MD simulation of small boron cluster implantation
机译:
小硼团簇注入的MD模拟
作者:
Aoki Takaaki
;
Seki Toshio
;
Matsuo Jiro
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
4.
Physical and electrical characterization of junction between single-layer graphene (SLG) and Ti prepared by various processes
机译:
通过各种工艺制备的单层石墨烯(SLG)和Ti之间的结的物理和电气特性
作者:
Liu W. J.
;
Yu H. Y.
;
Tay B. K.
;
Xu S. H.
;
Wang Y. Y.
;
Hu H. L.
;
Shen Z. X.
;
Wei J.
;
Li M. F.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
5.
Heterojunction fabricated by deposition of ZnO films on boron-doped nanocrystalline diamond film
机译:
通过在掺杂硼的纳米晶金刚石膜上沉积ZnO膜制成的异质结
作者:
Huang Jian
;
Wang Linjun
;
Tang Ke
;
Xu Run
;
Zhang Jijun
;
Xia Yiben
;
Lu Xionggang
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
6.
Electrical and structural properties of Al-doped ZnO films
机译:
铝掺杂ZnO薄膜的电学和结构性能
作者:
Tang Ke
;
Wang Linjun
;
Huang Jian
;
Zhang Jijun
;
Shi Weimin
;
Xia Yiben
会议名称:
《》
|
2010年
7.
Causes of asymmetry in graphene transfer characteristics
机译:
石墨烯转移特性不对称的原因
作者:
Xu Shouheng
;
Zhang Qing
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
8.
Advanced junction formation for sub-32nm logic devices
机译:
低于32nm逻辑器件的高级结形成
作者:
Deshpande Sadanand V.
;
Ozcan Ahmet
;
Wall Donald
;
Kim Eunha
;
Gluschenkov Oleg
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
9.
Effective approaches to prevent ambient contaminations impact on the Cobalt Salicide process
机译:
防止环境污染影响钴硅化物工艺的有效方法
作者:
Kun-Gui
;
Lin Paul-Chang
;
Ouyang Dong
;
Zhang Ji-Wei
;
Xing Cheng
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
10.
Er inserted Ni silicide metal source/drain for Schottky MOSFETs
机译:
肖特基MOSFET的Er插入式硅化镍金属源极/漏极
作者:
Ahmet Parhat
;
Hosoda Wataru
;
Noguchi Kohei
;
Ohishi Yoshihisa
;
Kakushima Kuniyuki
;
Tsutsui Kazuo
;
Iwai Hiroshi
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
11.
The effects of a deep n-well junction on RF circuit performanc
机译:
n阱深结对RF电路性能的影响
作者:
Ye Song
;
Li Jun
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
12.
Characterization of a body-tied vertical MOSFET
机译:
体式垂直MOSFET的特性
作者:
Lu Kuan-Yu
;
Lin Jyi-Tsong
;
Eng Yi-Chuen
;
Tai Chih-Hsuan
;
Chen Cheng-Hsin
;
Chang Yu-Che
;
Fan Yi-Hsuan
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
13.
A highly scalable Π-shaped source/drain quasi-SOI MOS transistor
机译:
高度可扩展的-型源极/漏极准SOI MOS晶体管
作者:
Eng Yi-Chuen
;
Lin Jyi-Tsong
;
Fan Yi-Hsuan
;
Chang Yu-Che
;
Lu Kuan-Yu
;
Chen Cheng-Hsien
;
Tai Chih-Hsuan
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
14.
A simulation study of a novel dual-channel body-tied MOSFET
机译:
新型双通道体式MOSFET的仿真研究
作者:
Fan Yi-Hsuan
;
Lin Jyi-Tsong
;
Eng Yi Chuen
;
Chang Yu-Che
;
Chen Cheng-Hsin
;
Lu Kuan-Yu
;
Tai Chih-Hsuan
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
15.
Flexibly-Shaped-Pulse flash lamp annealing with assisted temperature control (FSP-FLAplus) to realize a wide range of annealing conditions
机译:
具有辅助温度控制(FSP-FLA plus sup>)的灵活形状脉冲闪光灯退火,可实现广泛的退火条件
作者:
Kato Shinichi
;
Onizawa Takashi
;
Aoyama Takayuki
;
Ikeda Kazuto
;
Ohji Yuzuru
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
16.
A simulation study of SOI RESURF junctions for HV LDMOS (>600V)
机译:
HV LDMOS(> 600V)的SOI RESURF结的仿真研究
作者:
Wang Yanying
;
Zhang Dong
;
Lv Yuqiang
;
Gong Dawei
;
Shao Kai
;
Wang Zhongjian
;
He Dawei
;
Cheng Xinhong
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
17.
Schottky barrier height modulation with Aluminum segregation and pulsed laser anneal: A route for contact resistance reduction
机译:
铝隔离和脉冲激光退火的肖特基势垒高度调制:降低接触电阻的途径
作者:
Koh Shao-Ming
;
Ng Chee-Mang
;
Liu Pan
;
Mo Zhi-Qiang
;
Wang Xincai
;
Zheng Hongyu
;
Zhao Zhi-Yong
;
Variam Naushad
;
Henry Todd
;
Erokhin Yuri
;
Samudra Ganesh S.
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
18.
Proposal of a new electronic structure model of Ohmic contacts for the future metallic source and drain
机译:
为未来的金属源极和漏极提出欧姆接触的新电子结构模型的建议
作者:
Takada Yukihiro
;
Muraguchi Masakazu
;
Endoh Tetsuo
;
Nomura Shintaro
;
Shiraishi Kenji
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
19.
A defect behavior in boron shallow junction formation of Si under low-temperature pre-anneal and non-melt-laser anneal
机译:
低温预退火和非熔融激光退火条件下硅硼浅结形成中的缺陷行为
作者:
Hara Suhei
;
Shigenaga Yusuke
;
Matsumoto Satoru
;
Fuse Genshu
;
Sakuragi Susumu
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
20.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
21.
Sub-20 nm abrupt USJ formation with long ms-flash with sub-2 nm dopant motion control
机译:
低于20 nm的USJ突然形成,具有长ms闪光,具有低于2 nm的掺杂剂运动控制
作者:
Lee K. L.
;
Lauer I.
;
Ronsheim P.
;
Neumayer D.
;
McCoy S.
;
Kulkarni P.
;
Chan J.
;
Skordas S.
;
Zhu Y.
;
Gelpey J.
;
Park Dae-gyu
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
22.
High-resolution and site-specific SSRM on S/D engineering
机译:
针对S / D工程的高分辨率和特定于现场的SSRM
作者:
Zhang L.
;
Saitoh M.
;
Koike M.
;
Takeno S.
;
Tanimoto H.
;
Adachi K.
;
Yasutake N.
;
Kusunoki N.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
23.
Carbon nanotube thin film transistor devices
机译:
碳纳米管薄膜晶体管器件
作者:
Wei J.
;
Lee C. W.
;
Li L. J.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
24.
Advances in molecular implant technology
机译:
分子植入技术的进步
作者:
Krull Wade
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
25.
Evaluation by spectroscopic ellipsometryof Si amorphized layer thickness after implantation and solid phase re-growth at low annealing temperatures
机译:
在较低的退火温度下通过椭圆偏振光谱法评估注入后的Si非晶化层厚度和固相再生长
作者:
Shibata S.
;
Kawase F.
;
Kitada A.
;
Kouzaki T.
;
Kitamura A.
;
Yamazawa K.
;
Arai M.
;
Nambu Y.
;
Izutani H.
;
Morita T.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
26.
Advanced source/drain technologies for parasitic resistance reduction
机译:
先进的源/漏技术可降低寄生电阻
作者:
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
27.
Formation and characterization of ultra-thin Ni silicides on strained and unstrained silicon
机译:
应变硅和非应变硅上超薄镍硅化物的形成与表征
作者:
Knoll L.
;
Zhao Q. T.
;
Habicht S.
;
Urban C.
;
Bourdelle K. K.
;
Mantl S.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
28.
Device performance and yield — A new focus for ion implantation
机译:
器件性能和良率—离子注入的新焦点
作者:
Renau Anthony
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
29.
Grain boundary barrier height and threshold voltage model of polycrystalline silicon thin film transistors
机译:
多晶硅薄膜晶体管的晶界势垒高度和阈值电压模型
作者:
He Hongyu
;
Zheng Xueren
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
30.
Improved radiation response of PDSOI LBBC BUSFET
机译:
改善PDSOI LBBC BUSFET的辐射响应
作者:
Bi Jin-Shun
;
Hai Chao-He
;
Han Zheng-Sheng
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
31.
Carrier activation in cluster boron implanted Si
机译:
团簇硼注入硅中的载流子活化
作者:
Onoda H.
;
Hamamoto N.
;
Nagayama T.
;
Tanjyo M.
;
Umisedo S.
;
Maehara N.
;
Kawamura Y.
;
Nakashima Y.
;
Hashimoto M.
;
Yoshimi H.
;
Sezaki S.
;
Kawakami K.
;
Reyes J.
;
Prussin S.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
32.
Performance estimations of gate-all-around silicon nanowire FETs with asymmetric barrier heights at source/drain
机译:
源极/漏极处具有非对称势垒高度的全栅硅纳米线FET的性能估计
作者:
Pu Jing
;
Sun Lei
;
Han Ru-Qi
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
33.
Sidewall resistance reduction for FinFETs by B
2
H
6
/Helium Self-Regulatory Plasma Doping process
机译:
B
2 inf> H
6 inf> /氦气自调节等离子体掺杂工艺可降低FinFET的侧壁电阻
作者:
Sasaki Yuichiro
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
34.
Suppression of phosphorus diffusion using cluster Carbon co-implantation
机译:
团簇碳共注入抑制磷的扩散
作者:
Nagayama Tsutomu
;
Onoda Hiroshi
;
Tanjyo Masayasu
;
Hamamoto Nariaki
;
Umisedo Sei
;
Koga Yuji
;
Maehara Noriaki
;
Kawamura Yasunori
;
Nakashima Yoshiki
;
Hashino Yoshikazu
;
Hashimoto Masahiro
;
Yoshimi Hideki
;
Sezaki Shinichi
;
Nagai Nobuo
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
35.
Epitaxial NiSi
2
source and drain technology for atomic-scale junction control in silicon nanowire MOSFETs
机译:
外延NiSi
2 inf>源漏技术用于硅纳米线MOSFET的原子级结控制
作者:
Migita Shinji
;
Morita Yukinori
;
Mizubayashi Wataru
;
Ota Hiroyuki
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
36.
Advanced boron-based ultra-low energy doping techniques on ultra-shallo junction fabrications
机译:
先进的基于硼的超低能量掺杂技术,用于超霍尔结制造
作者:
Qin Shu
;
Hu Y. Jeff
;
McTeer Allen
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
37.
Millisecond annealing induced by atmospheric pressure thermal plasma jet irradiation and its application to ultra shallow junction formation
机译:
大气压热等离子体射流辐照引起的毫秒退火及其在超浅结形成中的应用
作者:
Higashi Seiichiro
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
38.
Dual beam laser spike annealing technology
机译:
双光束激光尖峰退火技术
作者:
Wang Yun
;
Chen Shaoyin
;
Shen Michael
;
Wang Xiaoru
;
Zhou Senquan
;
Hebb Jeff
;
Owen David
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
39.
Advanced Flash Lamp Annealing technology for 22nm and further device
机译:
先进的22nm闪光灯退火技术及其他器件
作者:
Kiyama Hiroki
;
Kato Shinichi
;
Aoyama Takayuki
;
Onizawa Takashi
;
Ikeda Kazuto
;
Kondo Hideki
;
Hashimoto Kazuyuki
;
Murakawa Hiroshi
;
Kuroiwa Toru
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
40.
Vacancy-type defects in ultra-shallow junctions fabricated using plasma doping studied by positron annihilation
机译:
通过正电子an没研究等离子体掺杂制备的超浅结中的空位型缺陷
作者:
Uedono Akira
;
Tsutsui Kazuo
;
Ishibashi Shoji
;
Watanabe Hiromichi
;
Kubota Shoji
;
Tenjinbayashi Kazuki
;
Nakagawa Yasumasa
;
Mizuno Bunji
;
Hattori Takeo
;
Iwai Hiroshi
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
41.
Two-dimensional cross-sectional doping profiling of boron-based low energy high dose ion implantations using Electron Holography technique
机译:
利用电子全息技术对硼基低能高剂量离子注入进行二维截面掺杂分析
作者:
Qin Shu
;
Wang Zhouguang
;
Li Du
;
Hu Y. Jeff
;
McTeer Allen
;
Burke Rob
;
Guha Jaydip
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
42.
Contributionxc of carbon to growth of strained silicon, dopant activation and diffusion in silicon
机译:
碳对应变硅的生长,掺杂剂活化和硅中扩散的贡献xc
作者:
Itokawa Hiroshi
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
43.
Metallic source and drain module for FDSOI MOSFETs applications
机译:
FDSOI MOSFET应用的金属源极和漏极模块
作者:
Carron V.
;
Nemouchi F.
;
Morand Y.
;
Poiroux T.
;
Hutin L.
;
Vinet M.
;
Billon T.
;
Faynot O.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
44.
Technology options for 22nm and beyond
机译:
22nm及以上的技术选择
作者:
Kuhn Kelin J.
;
Liu Mark Y.
;
Kennel Harold
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
45.
Aggressive design of ultra-shallow junction for near-scaling-limit bulk planar CMOS by using raised source/drain extension structure and carbon co-implantion technology
机译:
利用凸起的源/漏扩展结构和碳共注入技术,为近尺度限制的块状CMOS超浅结进行积极的设计
作者:
Uejima K.
;
Yako K.
;
Yamamoto T.
;
Ikarashi N.
;
Shishiguchi S.
;
Hase T.
;
Hane M.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
46.
Optimum design methodology for thermally stable multi-finger power SiGe HBTs
机译:
热稳定多指功率SiGe HBT的最佳设计方法
作者:
Jin D. Y.
;
Zhang W. R.
;
Guan B. L.
;
Chen L.
;
Hu N.
;
Xiao Y.
;
Wang R. Q.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
47.
Improved electrochemical etching for the formation of 3D p-n junction
机译:
改进的电化学蚀刻,用于形成3D p-n结
作者:
Shi Jing
;
Ci Pengliang
;
Wang Fei
;
Zhang Huayan
;
Wang Lianwei
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
|
2010年
48.
Advanced techniques for achieving ultra-shallow junctions in future CMOS devices
机译:
在未来的CMOS器件中实现超浅结的先进技术
作者:
Barnett Joel
;
Hill Richard
;
Loh Wei-Yip
;
Hobbs Chris
;
Majhi Prashant
;
Jammy Raj
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
49.
Deep p+ junctions formed by drive-in from pure boron depositions
机译:
由纯硼沉积驱入形成的深p + sup>结
作者:
Maleki P.
;
Scholtes T. L. M.
;
Popadic M.
;
Sarubbi F.
;
Lorito G.
;
Milosavljevic S.
;
de Boer W. B.
;
Nanver L. K.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
50.
Application of coherent resonant tunnelling theory in GaAs RTD fabrication
机译:
相干共振隧穿理论在GaAs RTD制造中的应用
作者:
Wu Yibin
;
Yang Ruixia
;
Yang Kewu
;
Shang Yaohui
;
Bu Xiazheng
;
Niu Chenliang
;
Zhao Hui
;
Wang Jianfeng
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
51.
An analytical model for the subthreshold swing of double-gate MOSFETs
机译:
双栅极MOSFET亚阈值摆幅的分析模型
作者:
Ding Zhihao
;
Hu Guangxi
;
Gu Jinglun
;
Liu Ran
;
Wang Lingli
;
Tang Tingao
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
52.
Carbon incorporation into substitutional silicon site by carbon cryo ion implantation and metastable recrystallization annealing as stress technique in n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
机译:
通过碳低温离子注入和亚稳态重结晶退火将碳掺入替代硅位点中,作为n-金属氧化物半导体场效应晶体管中的应力技术
作者:
Itokawa Hiroshi
;
Miyano Kiyotaka
;
Oshiki Yusuke
;
Onoda Hiroyuki
;
Nishigoori Masahito
;
Mizushima Ichiro
;
Suguro Kyoichi
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
53.
Nickel silicide formation on Si(110) substrate
机译:
在Si(110)衬底上形成硅化镍
作者:
Guo Xiao
;
Wang Xiao-Rong
;
Jiang Yu-Long
;
Ru Guo-Ping
;
Li Bing-Zong
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
54.
Preliminary research of standard for electrostatic discharge test method for LED chips
机译:
LED芯片静电放电测试方法标准的初步研究
作者:
Yanwei
;
Yuanchen
;
Wangchang
;
Zhoujin
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
55.
Enhanced thermal measurements of high power LEDs by junction characteristic
机译:
通过结点特性增强了大功率LED的热测量
作者:
Ge Chenning
;
Feng Shiwei
;
Zhang Guangchen
;
Ding Kaikai
;
Hu Peifeng
;
Deng Haitao
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
56.
Millisecond anneal for ultra-shallow junction applications
机译:
毫秒退火,用于超浅结应用
作者:
Lu Jiong-Ping
;
He Yonggen
;
Chen Yong
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
57.
Multi-reversed-junction LDMOST with very high breakdown voltage per unit length
机译:
多反向结LDMOST,每单位长度具有很高的击穿电压
作者:
Cheng Jianbing
;
Zhang Bo
;
Li Zhaoji
;
Guo Yufeng
;
Yu Shujuan
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
58.
Design and application of the high-voltage ultra-shallow junction PJFET
机译:
高压超浅结PJFET的设计与应用
作者:
Wang Zhikuan
;
Tang Zhaohuan
;
Liu Yong
;
Shui Guohua
;
Ou Hongqi
;
Yang Yonghui
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
59.
Depth profiling of chemical bonding states of impurity atoms and their correlation with electrical activity in Si shallow junctions
机译:
硅浅结中杂质原子化学键合态的深度分布及其与电活性的关系
作者:
Tsutsui Kazuo
;
Hoshino Norifumi
;
Nakagawa Yasumasa
;
Tanaka Masaoki
;
Nohira Hiroshi
;
Kakushima Kuniyuki
;
Ahemt Parhat
;
Sasaki Yuichiro
;
Mizuno Bunji
;
Hattori Takeo
;
Iwai Hiroshi
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
60.
Laser spike anneal macro on6; micro non-uniformity investigation using modulated optical reflectance and four-point-probe
机译:
激光尖峰退火宏on6;调制光学反射率和四点探针的微观非均匀性研究
作者:
He Yonggen
;
Chen Yong
;
Yu Guobin
;
Hong Albert
;
Lu Jiong-Ping
;
Liu Xianghua
;
Yu Lu
;
Chen Yue
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
61.
Improvement of productivity by cluster ion implanter: CLARIS
机译:
簇离子注入机提高生产率:CLARIS
作者:
Tanjyo Masayasu
;
Hamamoto Nariaki
;
Umisedo Sei
;
Koga Yuji
;
Une Hideyasu
;
Maehara Noriaki
;
Kawamura Yasunori
;
Hashino Yoshikazu
;
Nakashima Yoshiki
;
Hashimoto Masahiro
;
Nagayama Tsutomu
;
Onoda Hiroshi
;
Nagai Nobuo
;
Horsky Tom N.
;
Hahto Sami K.
;
Jacobson Dale C.
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
62.
Study on palladium germanide on Ge-on-Si substrate for nanoscale Ge channel Schottky barrier MOSFETs
机译:
纳米Ge沟道肖特基势垒MOSFET的Ge-on-Si衬底上锗化钯的研究
作者:
Oh Se-Kyung
;
Zhang Ying-Ying
;
Shin Hong-Sik
;
Han In-Shik
;
Kwon Hyuk-Min
;
Park Byoung-Soek
;
Park Sang-Uk
;
Bok Jung-Deuk
;
Lee Ga-Won
;
Wang Jin-Suk
;
Lee Hi-Deok
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
63.
Substrate doping induced hole barrier lowering in PtSi-Si Schottky diode and its implication to PtSi source/drain SBFETs
机译:
PtSi / n-Si肖特基二极管中衬底掺杂引起的空穴势垒降低及其对PtSi源/漏SBFET的影响
作者:
Yu HongYu
会议名称:
《Extended Abstracts010 International Workshop onJunction Technology》
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2010年
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