通过预处理实现界面更加平滑的钴硅化物工艺

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了能够在更新的技术下满足结漏电的要求，需要对现有的钴硅化物工艺进行改进，方法之一是采用离子注入预处理，将不同种类的离子，大剂量、低能量地注入到硅衬底中，通过影响钴硅化物的形成过程，形成界面与普通工艺相比更加平滑的钴硅化物。通过这种方法，可以使钴硅化物在0.13μm以下的工艺中继续使用，并获得令人满意的性能。