机译:Al掺杂原子层沉积改善HfO _2薄膜的电阻开关稳定性
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机译:原子层制备的Pt和TiN涂层衬底上HfO
机译:基于AG / HFO_2的导电桥通过原子层沉积阐述:惰性电极和HFO_2结晶度对电阻切换机构的影响
机译:沉积ZrO
机译:薄膜应用的分子工程:区域选择性原子层沉积(ALD)和分子原子层沉积(MALD)。
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:原子层沉积制备的HfO2薄膜的电阻转换特性及其1D1R器件