不同深宽比GaAs衬底的Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜材料原子层沉积及能谱分析

摘要

利用热原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术在不同深宽比GaAs衬底上进行了Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜的沉积。通过对其表面和能谱进行分析发现,沉积温度对复合薄膜的摩尔比具有较大的影响。随着深宽比的增大,其沉积表面和沟槽内会出现残留物;随着ALD沉积温度的上升,其沉积表面和沟槽内的残留物减少,摩尔比趋向均匀。当深宽比为2.2并利用150℃的低沉积温度时,表面及底面基本无残留物。但当深宽比为4.25时,150℃沉积明显有大量残留物。只有当温度升高到300℃时,表面和沟槽里复合薄膜的残留物才被明显消除。ALD技术可以实现各种器件结构的全方位钝化,这是其他化学气相沉积法无法比拟的。