机译:n型硅中RTA和后续退火引入的深能级的表征
机译:n型硅中RTA和后续退火引入的深能级的表征
机译:n型硅晶片中铁相关深能级的低温退火行为
机译:电子辐照n型4H碳化硅在室温至2000℃深能级缺陷之间的退火行为
机译:n型硅中由RTA和后续退火引入的深能级的表征
机译:通过4H-碳化硅的高温退火产生深的硼。
机译:广泛分析沉积Al2O3在N型硅衬底上的沉积退火的影响
机译:通过氢和氦注入以及随后的退火在硅中引入辐射缺陷和热供体
机译:室温下长期退火引入β射线补偿锗深层缺陷的瞬态电容测量