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陆昉; 陆峰; 孙恒慧; 邬建根;
复旦大学物理系;
硅; 热退火; 缺陷; 深能级; 载流子寿命;
机译:高温快速热退火后低剂量砷和硼注入的硅中残留缺陷的热行为
机译:氢和氦注入及随后的退火在硅中引入的辐射缺陷和热供体
机译:c-硅太阳能电池尖峰快速热退火引起的近表面缺陷的研究
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:硅中的V族杂质:研究它们在快速热退火过程中彼此之间的相互作用以及空位
机译:硅晶片的氩气/氨气快速热退火,由此制造的硅晶片和用于制造单晶硅锭的热拉斯基拉管
机译:硅晶圆的氩气/氨气快速热退火工艺,从而制造了硅晶圆,并制造了用于制造单晶硅锭的热拉斯基拉管。
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