公开/公告号CN1296526C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-01-24
原文格式PDF
申请/专利权人 MEMC电子材料有限公司;
申请/专利号CN99812088.X
申请日1999-10-13
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址 美国密苏里
入库时间 2022-08-23 08:58:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/00 授权公告日:20070124 终止日期:20141013 申请日:19991013
专利权的终止
2007-01-24
授权
授权
2001-11-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2001-11-21
公开
公开
机译: 热退火,低缺陷密度单晶硅
机译: 生产低缺陷密度单晶硅的热退火工艺
机译: 低缺陷密度的热退火单晶硅