Si^+/B^+双注入单晶硅的快速热退火

摘要

用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明：Ｓｉ＋ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应；快速热退火Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入样品，其注入损伤基本消除，残留二次缺陷少，硼原子电激活率高；优化与控制快速热退火条件和Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入参数，制备出了电学特性优良的浅ｐ＋ ｎ 结，其二极管反偏漏电流仅为１．９ ｎＡ·ｃｍ － ２（－ １．４Ｖ）。