机译:Si-和Si_xGe_(1-x)超浅结注入后和高级快速热退火中硼扩散的非高斯局部密度扩散(LDD-)模型。
Boron; Diffusion; Germanium; Implant; Non-Gaussian Diffusion Model; SiGe; Silicon; Ultra-Shallow Junction;
机译:Si-和Si_xGe_(1-x)超浅结注入后和高级快速热退火中硼扩散的非高斯局部密度扩散(LDD-)模型。
机译:先进的P + / N超浅结制造工艺引起的硼瞬态增强扩散研究
机译:插入氧层对硼,磷和砷在硅中扩散的影响,形成超浅结
机译:硼的硼增强扩散:超浅结的限制因素
机译:配备群作用的流形上扩散的偏积分解,保守力场中密度可变的Lorentz模型以及从相关马尔可夫链的内在度量重构流形。
机译:扩散时间对乳腺癌和肝细胞癌异种移植模型中非高斯扩散和体素不相干运动(IVIM)MRI参数的影响
机译:模拟超浅结的综合解决方案:从高剂量/低能量植入到扩散退火