机译:Sige HBT中nbr电流和电流增益的基础组成效应研究
current gain; cut off frequency; early voltage; maximum oscillation frequency; neutral base recombination current; SiGe HBT;
机译:Sige HBT中nbr电流和电流增益的基础组成效应研究
机译:高碱掺杂浓度下SiGe HBT的电流增益
机译:低噪声SiGe DHBT的基本传输限制电流增益分析
机译:通过MOCVD生长的InP / InGaAs D-HBT中的成分渐变C掺杂的In / sub 1-x / Ga / sub x / As基,具有低基片电阻和高电流增益
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:错误:“SiGE HBT中NBR电流和电流增益的基础组成效应研究”