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赵安邦; 谭开洲; 吴国增; 李荣强; 张静; 钟怡; 刘道广;
重庆邮电大学;
模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所;
SiGe; 异质结双极晶体管; 平面集成; 多晶硅发射极;
机译:高碱掺杂浓度下SiGe HBT的电流增益
机译:高基极掺杂浓度下SiGe HBT的电流增益
机译:Sige HBT中nbr电流和电流增益的基础组成效应研究
机译:一种具有改进的谷底填充电路的电流源谐振逆变器,适用于高功率因数电子镇流器应用。
机译:具有高光电导增益的有缺陷的TiO2适用于高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池
机译:错误:“SiGE HBT中NBR电流和电流增益的基础组成效应研究”
机译:1570V,14a 4H-siC双极达林顿,具有Beta> 462的高电流增益
机译:具有受控电流增益和改善的击穿电压特性的SiGe HBT的制造方法
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