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王喜媛; 张鹤鸣; 戴显英; 胡辉勇;
西安电子科技大学微电子研究所;
PNP型SiGeHBT; 电流增益; 异质结晶体管; 计算机模拟; 锗组分;
机译:Sige HBT中nbr电流和电流增益的基础组成效应研究
机译:具有高直流电流增益的高性能微波AlGaAs-InGaAs Pnp HBT
机译:紧凑型SiGe HBT模型的分析电流-电压关系。二。在实际HBT和参数提取中的应用
机译:在SOI上的早期电压,电流增益和PNP SiGe HBT的电流增益和击穿特性的温度相互作用
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:错误:“SiGE HBT中NBR电流和电流增益的基础组成效应研究”
机译:pnp HBT,66 Ghz f(sub max)
机译:具有受控电流增益和改善的击穿电压特性的SiGe HBT的制造方法
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